STD10NF10T4_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
STD10NF10T4 N溝道MOS管，采用標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，專為中等功率、高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具備100V的最大漏源電壓(VDSS)，可支持15A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)作。其導(dǎo)通電阻RD(on)為100mR，雖非業(yè)內(nèi)最低，但依然能在適度電流應(yīng)用中展現(xiàn)良好效能。適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、一般電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場景，是兼具性能與性價(jià)比的優(yōu)選半導(dǎo)體器件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
