BSZ0904NSI_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
BSZ0904NSI 是一款高強度N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，特別適應(yīng)于高密度電子產(chǎn)品的布局需求。其核心技術(shù)指標(biāo)包括最大漏源電壓(VDSS)達到30V，峰值漏極電流(ID)高達100A，顯示出超強電流處理能力；而優(yōu)異的導(dǎo)通電阻僅為4mΩ(RD(on))，確保在大電流工作狀態(tài)下的低損耗性能。此款MOS管非常適合應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、快速充電、大電流開關(guān)控制等對效率和穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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