MDV3604URH_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/32.0A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
MDV3604URH 是一款高性能P溝道MOSFET，采用小型化DFN3X3-8L封裝，專為高密度電路設(shè)計。器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達32A的連續(xù)漏極電流(ID)，并展現(xiàn)出極其出色的10mΩ導通電阻(RD(on))，確保在大電流工作條件下仍然保持高效能與低發(fā)熱。這款MOS管廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、馬達驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等場合，是實現(xiàn)高功率密度和節(jié)能設(shè)計的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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