SI2309CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/2.0A 參數4：RDON/160.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
SI2309CDS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，適用于空間緊湊的高效電路設計。該器件具備60V的漏源電壓額定值(VDSS)，能在160mR(RD(on))的導通電阻下穩定傳遞2A漏極電流(ID)。廣泛應用于電源管理、電池保護電路、負載開關等場景，憑借其出色的電壓耐受力與良好的電流控制特性，成為您提升系統效能和可靠性的理想半導體組件。
