NDS332P_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/120.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
NDS332P MOS管，采用緊湊型SOT-23封裝形式，內(nèi)建P溝道結構，性能卓越。該器件具有20V的最高漏源擊穿電壓(VDSS)，能在安全電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，同時提供高達2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保強大驅動能力。尤其值得關注的是其超低導通電阻RD(on)僅120mR，顯著降低了功率損耗并提升了整體系統(tǒng)效能。適用于電源管理、開關調節(jié)等電路設計，是您實現(xiàn)高效能應用的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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