SI2301CDS-T1-GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/95.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SI2301CDS-T1-GE3 是一款高性能P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝技術(shù)，專為低功耗及高集成度設(shè)計(jì)。其關(guān)鍵特性包括工作電壓VDSS高達(dá)20V，可承載2.3A連續(xù)漏極電流，提供出色的電力管理能力。導(dǎo)通電阻RD(on)僅為95mR，有效減少能源消耗，提升系統(tǒng)能效。SI2301CDS-T1-GE3 MOS管憑借卓越的開關(guān)性能、小巧封裝尺寸及高穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于電源開關(guān)控制、電池保護(hù)、便攜式電子設(shè)備等多元化場(chǎng)景，是您優(yōu)化電路設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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