GBU410_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 4A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 150A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
描述: 本款高性能整流橋采用GBU封裝，專為高效穩定轉換設計。具有1000V的高反向電壓額定值（VR），在4A電流下正向壓降僅為1.1V（VF），有效降低功耗，提升系統效率。其強大而穩定的電流處理能力可達4A（IO），確保設備運行安全可靠。適用于各類高電壓、大電流應用場合，是您電路設計的理想選擇。
