中商情報網(wǎng)訊：與硅基半導(dǎo)體材料相比，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力等特點，適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029全球及中國SiC和GaN功率器件市場洞察報告》顯示，2023年全球SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為21.2億美元，受益于新能源汽車及光伏領(lǐng)域需求量的高速增長，預(yù)計2024年全球SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計將達26.6億美元。

數(shù)據(jù)來源：Omdia、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

當(dāng)前我國已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點支持領(lǐng)域，隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實施，碳化硅半導(dǎo)體將在5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。從下游應(yīng)用市場占比情況來看，新能源汽車應(yīng)用占比最大，達到38%；其次是消費類電源，占比為22%；光伏逆變器占據(jù)著15%的份額。

數(shù)據(jù)來源：CASA、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

隨著新能源汽車的發(fā)展，對功率器件需求量日益增加，成為功率半導(dǎo)體器件新的增長點。碳化硅器件在新能源汽車產(chǎn)業(yè)中主要應(yīng)用在電機控制器（電驅(qū)）、車載充電機OBC、DC/DC變換器以及充電樁，碳化硅器件相比硅基器件有更優(yōu)越的物理性能，體積小，性能優(yōu)越，節(jié)能性強，同時緩解了續(xù)航問題，更適應(yīng)新能源汽車增加續(xù)航里程、縮短充電時長、提高電池容量、降低車身自重的需求。近年來，我國新能源汽車市場快速發(fā)展。2024年1-3月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成211.5萬輛和209萬輛，同比分別增長28.2%和31.8%，市場占有率達到31.1%。

數(shù)據(jù)來源：中汽協(xié)、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

在光伏發(fā)電應(yīng)用中，基于硅基器件的傳統(tǒng)逆變器成本約占系統(tǒng)10%左右，卻是系統(tǒng)能量損耗的主要來源之一。使用碳化硅 MOSFET 或碳化硅 MOSFET 與碳化硅 SBD 結(jié)合的功率模塊的光伏逆變器，轉(zhuǎn)換效率可從 96%提升至 99%以上，能量損耗降低 50%以上，設(shè)備循環(huán)壽命提升 50 倍，從而能夠縮小系統(tǒng)體積、增加功率密度、延長器件使用壽命、降低生產(chǎn)成本。高效、高功率密度、高可靠和低成本是光伏逆變器的未來發(fā)展趨勢。

數(shù)據(jù)來源：CASA、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理