JSM21867STR 4A 700V集成BSD單相高低側(cè)同相柵極驅(qū)動芯片
關(guān)鍵詞： JSM21867STR IRS21867 柵極驅(qū)動芯片 替代優(yōu)勢 多場景應(yīng)用
在功率電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”，其性能直接決定了整機(jī)的效率、可靠性與安全性。今天給大家推薦一款國產(chǎn)高性能驅(qū)動芯片 ——JSM21867STR，來自杰盛微半導(dǎo)體（JSMSEMI），不僅參數(shù)硬核，更能直接替代 IRS21867，為電機(jī)驅(qū)動、電源轉(zhuǎn)換等場景提供高性價(jià)比解決方案。
一、產(chǎn)品概述
JSM21867S是一款高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側(cè)驅(qū)動芯片，具有兩個獨(dú)立地傳輸通道。內(nèi)部集成了高、低側(cè)欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路等保護(hù)電路，具備大電流脈沖輸出能力，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，輸出電流能力最大可達(dá)4A，其浮地通道最高工作電壓可達(dá)700V。可用于驅(qū)動N溝道高壓功率MOSFET/IGBT等器件。IRS21867S采用SOP-8封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)工作。
二、核心產(chǎn)品特性
自舉工作的浮動通道
最高工作電壓為 700V兼容
3.3V, 5V和 15V 輸入邏輯
dv/dt 耐受能力可達(dá)+50 V/nsec
Vs負(fù)壓耐受能力達(dá)-9V
柵極驅(qū)動電壓:10V到20V
高、低側(cè)欠壓鎖定電路
--欠壓鎖定正向閩值6V
--欠壓鎖定負(fù)向閥值 5.5V
芯片開通/關(guān)斷傳輸延時(shí)
--Ton/Toff =150ns/150ns
高低側(cè)延時(shí)匹配
驅(qū)動電流能力:
----拉電流/灌電流=4.0A/4.0A
符合 RoSH 標(biāo)準(zhǔn)
SOP-8
三、核心參數(shù)大起底：700V 高壓 + 4A 大電流，性能毫不遜色
作為一款專為高壓功率場景設(shè)計(jì)的驅(qū)動芯片，JSM21867STR 的參數(shù)表堪稱 “教科書級別”。它支持最高 700V 工作電壓，浮地通道設(shè)計(jì)讓其輕松應(yīng)對高壓母線環(huán)境，無論是驅(qū)動 N 溝道高壓 MOSFET 還是 IGBT，都能穩(wěn)定輸出驅(qū)動力。
驅(qū)動能力上更是 “底氣十足”：拉電流和灌電流均可達(dá) 4.0A，大電流脈沖輸出能力確保功率器件快速開關(guān)，大幅減少開關(guān)損耗。動態(tài)響應(yīng)同樣出色，開通傳輸延時(shí)（Ton）和關(guān)斷傳輸延時(shí)（Toff）均低至 150ns，高低側(cè)延時(shí)匹配誤差≤35ns，高速響應(yīng)特性讓電路動態(tài)性能更優(yōu)。
兼容性方面，它支持 3.3V、5V、15V 多電平邏輯輸入，無需額外電平轉(zhuǎn)換電路即可適配不同控制系統(tǒng)，極大簡化了電路設(shè)計(jì)。更值得一提的是其強(qiáng)悍的抗干擾能力：dV/dt 耐受能力達(dá) + 50V/nsec，Vs 引腳負(fù)壓耐受能力達(dá) - 9V，能有效抵御開關(guān)過程中產(chǎn)生的尖峰干擾，減少誤動作風(fēng)險(xiǎn)。
四、應(yīng)用場景全覆蓋，從家電到工業(yè)無一不精
憑借優(yōu)異的性能，JSM21867STR 的應(yīng)用場景十分廣泛：
電機(jī)驅(qū)動與控制：無刷電機(jī)、伺服驅(qū)動器中，高低側(cè)同步驅(qū)動能力確保電機(jī)平穩(wěn)運(yùn)行；
電動工具：大電流驅(qū)動特性適配高速運(yùn)轉(zhuǎn)需求，提升工具續(xù)航與效率；
電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)：逆變器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器中，高壓耐受與低延時(shí)特性減少能量損耗；
家電設(shè)備：冰箱、空調(diào)等白色家電的壓縮機(jī)驅(qū)動，可靠性設(shè)計(jì)延長整機(jī)壽命。
五、引腳功能描述
極限與推薦范圍：
結(jié)溫（TJ）最高 150℃，存儲溫度（Ts）-55℃至 150℃，引腳溫度（TL）最高 300℃。
封裝功率（PD）：0.625W（TA≤25℃），結(jié)到環(huán)境熱阻（RthJA）200℃/W。
ESD 額定值：
人體放電模式：最小值 1.5kV；機(jī)器放電模式：最小值 500V。
電氣特性（TA=25℃，VCC=VB=15V，CL=1nF）：
六、替代 IRS21867？這三大優(yōu)勢讓替換毫無壓力
對于正在使用 IRS21867 的工程師來說，JSM21867STR 堪稱 “即插即用” 的理想替代方案，核心優(yōu)勢體現(xiàn)在三個方面：
1. 封裝與引腳完全兼容
JSM21867STR 采用與 IRS21867 相同的 SOP-8 封裝，引腳定義與功能一一對應(yīng)：1 腳 VCC（電源）、2 腳 HIN（高側(cè)輸入）、3 腳 LIN（低側(cè)輸入）、4 腳 COM（地）、5 腳 LO（低側(cè)輸出）、6 腳 VS（高側(cè)浮動地）、7 腳 HO（高側(cè)輸出）、8 腳 VB（高側(cè)浮動電源）。無需修改 PCB 布局即可直接替換，完美繼承原有設(shè)計(jì)成果。
2. 核心參數(shù)全面對標(biāo)
對比關(guān)鍵性能指標(biāo)，JSM21867STR 在驅(qū)動電流、耐壓能力、保護(hù)閾值等核心參數(shù)上均達(dá)到或優(yōu)于 IRS21867 水平。例如，兩者均集成高 / 低側(cè)欠壓鎖定電路，JSM21867STR 的欠壓鎖定正向閾值為 6V、負(fù)向閾值為 5.5V，與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高度匹配，確保供電不足時(shí)的安全保護(hù)。
3. 工業(yè)級可靠性更勝一籌
JSM21867STR 的工作溫度范圍覆蓋 - 40℃至 125℃，結(jié)溫（TJ）最高可達(dá) 150℃，存儲溫度（Ts）范圍 - 55℃至 150℃，完全滿足工業(yè)級寬溫環(huán)境需求。ESD 防護(hù)能力同樣出色，人體放電模式（HBM）達(dá) 1.5kV，機(jī)器放電模式（MM）達(dá) 500V，抗靜電能力確保生產(chǎn)與使用過程中的可靠性。
