【國產替代】ARK（方舟微）DMZ42C10S 完美替代 英飛凌BSS169
【國產替代】ARK（方舟微）DMZ42C10S 完美替代 英飛凌BSS169
1、 DMZ42C10S產品簡述
DMZ42C10S是ARK（方舟微）研發的一款耐壓100V的N溝道耗盡型MOSFET產品，該產品性能優異，可靠性高，且參數定義范圍與Infineon的BSS169基本一致。相較于BSS169，DMZ42C10S具有更低的導通電阻，以及更大的電流能力，可以對BSS169實現Pin-to-Pin完美替代。
2、DMZ42C10S與BSS169對比
1) 封裝形式對比
圖1. DMZ42C10S封裝類型及電極腳位 圖2. BSS169封裝類型及電極腳位
DMZ42C10S和BSS169均為SOT-23封裝，且D、G、S電極分布完全一致。
2) 主要靜態參數定義范圍對比
Item | BVDS | VGS(OFF) | ID(OFF) | IGSS | RDS(on) | RDS(on) | IDSS(Min) |
Test condition | VGS=-10V, ID=250uA | VDS=3V, ID=50uA | VDS=100V, VGS=-10V | VGS=20V, VDS=0V | VGS=0V, ID=50mA | VGS=10V, ID=190mA | VGS=0V, VDS=10V |
DMX42C10S | ＞100V | -2.9V～-1.8V | ＜0.1uA | ＜10nA | ＜6Ω | Type: 1.2Ω | ＞90mA |
BSS169 | ＞100V | -2.9V～-1.8V | ＜0.1uA | ＜10nA | ＜12Ω | Type: 2.9Ω | ＞90mA |
*上述數據來源于兩款產品的數據手冊。
DMX42C10S各項參數的定義范圍與BSS169基本一致。
3) 樣品參數實測對比
Item | IGSSR | IGSS | ID(OFF) | BVDSS | VGS(Off) | RDS(ON) | IDSS |
Test condition | VGS=-20V | VGS=20V | VDS=100V | IDS=250uA | ID=50uA | IDS=50mA | VDS=10V |
VDS=0V | VDS=0V | VSG=10V | VSG=10V | VDS=3V | VG=0V | VGS=0V | |
DMZ42C10S | 0.208nA | 0.203nA | 0.002uA | 114.6V | -2.4V | 1.78Ω | 530.6mA |
BSS169 | 0.375nA | 0.438nA | 0.002uA | 149.8V | -2.1V | 5.93Ω | 217.3mA |
DMZ42C10S具體更低的導通電阻和更大的電流能力，BSS169的實際耐壓高于DMZ42C10S(注：ARK（方舟微）已經開發出了實際擊穿電壓與BSS169相近的升級款產品，后續即將推出)。
3、耗盡型MOSFET產品在應用中對標的主要特點說明
耗盡型MOSFET在絕大多數應用中，都是工作在亞閾值狀態下（即柵-源電壓VGS滿足：VGS(OFF)＜VGS＜0V），此時耗盡型MOSFET的參數具有如下特點：
a． 導通電阻RDS(ON)：亞閾狀態下導通電阻是變化的，且會明顯超過VGS=0V時的電阻值（規格書中給出的電阻參數）；但是當MOSFET工作在直通狀態時，導通電阻越小，則會帶來更低的電壓降，且相應具有更大的電流能力。
b． 閾值電壓VGS(OFF)：只需要滿足電路驅動電源要求以及電路參數要求即可，如搭配運放使用時，只要符合運放的驅動輸出范圍即可；如搭配電阻實現限流的應用，通過調節限流電阻的阻值，也可以使用不同阻值的電阻達到相近的限流需求。因此，不一定需要完全一樣的閾值電壓參數才能實現對標替代；
c． 電流參數：一般主要關注耗盡型MOSFET在一定柵極偏壓下的飽和電流大?。ㄏ鄬C合的參數）是否能滿足電流的電流需求，飽和電流越大，則越能適配大電流下的應用。
因此，對于耗盡型MOSFET的替代選型，通?！皡凳欠褚荒Ｒ粯印辈⒉皇菍诉x型的固定標準。
4、DMZ42C10S的典型應用方案介紹
a． 給DAC芯片/傳感器調理芯片供電并提供過壓保護
DMZ42C10S適合用于傳感器、智能變送器中，給DAC芯片、傳感器調理芯片供電，并為負載電路提供浪涌防護，典型應用電路如下：
圖3. DMZ42C10S給AD421供電及提供過壓保護的典型電路方案
b． 恒流/限流應用
DMZ42C10S適合用于構建簡易恒流源，以及用于構建限流單元實現過流保護，典型應用方案如下：
圖3.DMZ42C10S用于構建恒流及限流保護單元的典型方案
