據產業鏈最新消息，AI芯片龍頭英偉達已與臺積電達成合作意向，計劃在其下一代AI計算芯片中率先采用臺積電最新研發的A16制程工藝，預計將會用在未來Feynman架構上。這將是由AI應用第一次主導臺積電最先進制程。

臺積電A16制程是繼N3（3nm）、N2（2nm）之后的又一重要技術節點，預計將在2026年下半年進入試產階段，并于2027年實現大規模量產。該制程在N2技術基礎上進一步優化，采用更先進的晶體管結構、高精度光刻技術與材料創新，旨在提升芯片的能效比、晶體管密度和性能表現。

據悉，臺積電位于臺灣新竹的Fab 20超大晶圓廠正進行N2及后續節點的建設，預計將成為A16的主要生產基地。

據臺積電內部資料，臺積電A16技術，結合領先的納米片晶體管及創新的超級電軌（Super Power Rail，SPR）解決方案以大幅提升邏輯密度及效能。“SPR將供電線路移到晶圓背面，以在晶圓正面釋放出更多訊號線路布局空間，來提升邏輯密度和效能。SPR也能大幅度降低壓降（IR Drop），進而提升供電效率。更重要的是，我們獨特的背面接面（Backside Contact）技術能夠維持與傳統正面供電下相同的閘極密度（Gate Density）、布局版框尺寸（Layout Footprint）和組件寬度調節的彈性，因此可以提供最佳的密度和速度上的優勢，這也是業界首創的技術。”

相較于臺積電的N2P制程，A16在相同Vdd（工作電壓）下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，晶片密度提升高達1.10倍，特別適用于具有復雜訊號線路和高密度供電線路的高效能運算（High-Performance Computing，HPC）產品。

英偉達作為臺積電長期且最重要的客戶之一，近年來其GPU和AI加速芯片幾乎全部由臺積電代工。此次若率先采用A16，將進一步拉開其與競爭對手在算力能效比上的差距。

有分析認為，英偉達計劃將A16制程應用于其下一代AI訓練芯片，可能是Blackwell架構的后續產品，或代號為“Vera”的新一代GPU架構。隨著大模型參數規模持續增長，訓練和推理對算力的需求呈指數級上升，芯片性能的提升愈發依賴先進制程的支持。A16制程的高密度和低功耗特性，將有助于英偉達在單芯片上集成更多CUDA核心、Tensor核心和高速緩存，同時降低數據中心的能耗成本。