華為在芯片研發(fā)設(shè)計(jì)方面是一流，自研了很多芯片，也開(kāi)辟了多個(gè)先例，被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手模仿。

例如，華為推出了NPU，并將其內(nèi)置在處理器中；華為最先推出5G雙模芯片；華為麒麟9000芯片是全球綜合體驗(yàn)最好的5G Soc。

數(shù)據(jù)顯示，華為海思不僅成為全球第十大半導(dǎo)體芯片，一度拿下了國(guó)內(nèi)超過(guò)50%的市場(chǎng)份額。

芯片等規(guī)則被修改后，臺(tái)積電等廠商就不能自由出貨了，余承東表示麒麟9000等芯片暫時(shí)無(wú)法生產(chǎn)制造了。

于是，華為不僅全面進(jìn)入芯片半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)，還投資國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)行聯(lián)合突破。

今年早些時(shí)候，余承東正式對(duì)外表示華為將會(huì)采用堆疊技術(shù)芯片，用面積換性能，讓華為快速擁有高性能芯片可用。

要知道，華為已經(jīng)發(fā)布了多個(gè)與堆疊技術(shù)芯片相關(guān)的技術(shù)專(zhuān)利，主要涉及芯片拼接、功耗等。

同時(shí)，堆疊技術(shù)的芯片不改變芯片制程，一樣可以翻倍提升芯片性能。

可以說(shuō)，堆疊芯片將會(huì)是華為解決芯片的利劍，畢竟，上海已經(jīng)宣布14nm先進(jìn)工藝已經(jīng)規(guī)模量產(chǎn)，而中芯國(guó)際N+1工藝的芯片也實(shí)現(xiàn)了小規(guī)模量產(chǎn)。

意外的是，華為芯片亮劍后，臺(tái)積電、三星先后宣布新消息。

據(jù)悉，劉德音表示臺(tái)積電追求更高的能效，3nm芯片將會(huì)在今年量產(chǎn)，同時(shí)，臺(tái)積電將會(huì)在2024年獲得全新一代High NA EUV光刻機(jī)，2025年量產(chǎn)2nm芯片。

更高的能效是指芯片擁有更高的性能和更低的功耗表現(xiàn)。

隨后三星也正式對(duì)外宣布，今年 6 月已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)采用3nm工藝的芯片，2025 年大規(guī)模生產(chǎn)先進(jìn)的2nm芯片，2027年大規(guī)模生產(chǎn)1.4nm芯片。

臺(tái)積電、三星先后宣布新消息，這意味深長(zhǎng)，原因主要有三點(diǎn)。

首先，堆疊技術(shù)芯片并非新技術(shù)，英特爾等廠商早就采用了類(lèi)似技術(shù)，只不過(guò)此類(lèi)芯片都是用在超算或者商用設(shè)備上。

蘋(píng)果推出M1 Ultra芯片后，堆疊技術(shù)芯片首次應(yīng)用了消費(fèi)者設(shè)備上，在不改變芯片制程的情況，蘋(píng)果將芯片的多核性能翻倍提升，引發(fā)矚目。

隨后華為也宣布將會(huì)采用堆疊技術(shù)芯片，解決華為沒(méi)有高性能芯片可用的問(wèn)題。

這就意味著堆疊芯片將會(huì)在蘋(píng)果、華為的推動(dòng)下，以更快的速度進(jìn)度消費(fèi)者領(lǐng)域，這勢(shì)必會(huì)降低對(duì)臺(tái)積電、三星的依賴(lài)。

因?yàn)槎询B技術(shù)芯片不用先進(jìn)制程工藝，就可以獲得高性能芯片。

其次，臺(tái)積電、三星先后宣布更先進(jìn)制的芯片，實(shí)際上就是想擠壓堆疊技術(shù)芯片的空間。

臺(tái)積電追求更高的能效，三星宣布2nm、1.4nm芯片的量產(chǎn)，實(shí)際上就是告訴廠商，有比堆疊技術(shù)芯片更好的芯片。

2nm、1.4nm等納米的芯片不僅有更高的性能，還有更好的功耗表現(xiàn)，而堆疊技術(shù)芯片雖然成本更低一些，性能也很強(qiáng)大，但功耗是軟肋。

最后，蘋(píng)果、華為等推出堆疊技術(shù)芯片，也是因?yàn)樾酒阅芴嵘絹?lái)越難，7nm到5nm并沒(méi)有明顯提升，5nm到4nm也是如此。

即便是3nm芯片，臺(tái)積電、三星GAA工藝分別提升11%和21%，而堆疊技術(shù)芯片則可以性能翻倍提升。

臺(tái)積電、三星先后2nm芯片，甚至更小的1.4nm芯片，實(shí)際上也是想告訴廠商將會(huì)有性能更強(qiáng)大的芯片。

畢竟，2nm以下制程的芯片，三星、臺(tái)積電都將會(huì)采用GAA工藝。