SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）公布北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨報(bào)告，2021年2月份設(shè)備制造商出貨金額達(dá)31.350億美元，連續(xù)2個(gè)月創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。全球半導(dǎo)體產(chǎn)能供不應(yīng)求，包括IDM廠、晶圓代工廠、內(nèi)存廠等同步拉高資本支出擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)客戶強(qiáng)勁需求，SEMI預(yù)期今年全球半導(dǎo)體設(shè)備投資將創(chuàng)下新高。

根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2021年2月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨金額來(lái)到31.350億美元，較前月增長(zhǎng)3.2％，較去年同期成長(zhǎng)32.0％。

SEMI全球營(yíng)銷(xiāo)長(zhǎng)暨臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示，由于多種終端應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)于半導(dǎo)體有長(zhǎng)期的強(qiáng)勁需求，SEMI看好全球數(shù)字轉(zhuǎn)型將持續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備投資的增長(zhǎng)。

今年半導(dǎo)體產(chǎn)能供不應(yīng)求，邏輯IC及內(nèi)存同步缺貨，帶動(dòng)各大廠積極擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)強(qiáng)勁需求。晶圓代工廠及DRAM廠今年投資重點(diǎn)在于擴(kuò)建極紫外光（EUV）產(chǎn)能，包括臺(tái)積電、英特爾、三星、SK海力士等已向艾司摩爾（ASML）預(yù)訂EUV曝光機(jī)，其中，臺(tái)積電及三星下半年加快3nm晶圓代工產(chǎn)能建置，三星及SK海力士建置1anm DRAM產(chǎn)能。

至于IDM龍頭大廠英特爾已加快自有產(chǎn)能建置，10nm產(chǎn)能今年進(jìn)入量產(chǎn)，7nm研發(fā)加速進(jìn)行，預(yù)計(jì)明年下半年開(kāi)始生產(chǎn)，2023年擴(kuò)大投片規(guī)模，同樣會(huì)在7nm制程開(kāi)始導(dǎo)入EUV技術(shù)，對(duì)EUV曝光機(jī)采購(gòu)亦將逐步擴(kuò)大。

SEMI調(diào)查顯示，今、明兩年大部分晶圓廠投資集中于晶圓代工和內(nèi)存部門(mén)。在大幅投資推動(dòng)下，晶圓代工支出預(yù)計(jì)今年將增長(zhǎng)23％達(dá)320億美元，明年預(yù)估持平；整體內(nèi)存支出今年有個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)達(dá)280億美元，同年DRAM將超過(guò)NAND Flash，明年將在DRAM和3D NAND投資推波助瀾之下出現(xiàn)26％的顯著成長(zhǎng)。

SEMI預(yù)期在2020～2022年的三年預(yù)測(cè)期間內(nèi)，全球晶圓廠每年將增加約100億美元的設(shè)備支出，最終將于2022年超過(guò)800億美元大關(guān)、達(dá)到836億美元規(guī)模并創(chuàng)下新高。法人看好資本支出概念股直接受惠，包括漢唐、帆宣、信纮科等廠務(wù)工程業(yè)者今年在手訂單續(xù)創(chuàng)新高，設(shè)備及備品供貨商京鼎、弘塑、意德士等同步受惠，對(duì)今年展望抱持樂(lè)觀看法。