在中國存儲芯片企業(yè)以最高232層NAND flash搶占市場，同時以猛烈的價格戰(zhàn)壓得三星、美光舉白旗的時候，日前消息指日本刻蝕機企業(yè)東京電子突然宣布已研發(fā)成功400層NAND flash系統(tǒng)，希望借這些技術(shù)扭轉(zhuǎn)劣勢。

中國的存儲芯片企業(yè)起家于2016年，為了建立自主的技術(shù)，中國存儲芯片企業(yè)從最低層的32層NAND flash技術(shù)開始發(fā)展，到了2020年研發(fā)成功128層NAND flash存儲芯片技術(shù)，追上了全球主流技術(shù)水平。

2022年中國的存儲芯片企業(yè)二期工程量產(chǎn)，存儲芯片產(chǎn)能將翻2兩倍，同時存儲芯片技術(shù)也率先量產(chǎn)232層NAND flash，技術(shù)和產(chǎn)能的提升快速降低了成本，中國存儲芯片由此開始依靠低成本優(yōu)勢大舉搶占市場。

恰在那個時候全球芯片行業(yè)出現(xiàn)供給過剩，芯片價格急跌，中國存儲芯片不怕芯片下行周期，反而逆周期擴張，給韓國、日本和美國的存儲芯片帶來巨大的壓力。2022年底以來，韓國的三星、美國的美光一度跟進價格戰(zhàn)，頑強抵御中國存儲芯片的競爭。

但是到了今年一季度，美光先頂不住了，因美光該季度的營收只有40億美元卻虧損了23億美元，率先表示不再降價；三星隨后也表示不會再降價，同時由于庫存激增至3400億元，減產(chǎn)，而在以往三星可是最喜歡逆周期擴張的，可見這場價格戰(zhàn)的猛烈。

這次東京電子宣布研發(fā)成功400層NAND flash刻蝕系統(tǒng)，將有助于美日韓的存儲芯片企業(yè)扳回技術(shù)劣勢，同時依靠更先進的技術(shù)也能進一步降低成本，這成為它們避免在存儲芯片行業(yè)繼續(xù)沉淪的希望。

由于眾所周知的原因，東京電子等日本芯片設備企業(yè)生產(chǎn)的23種芯片設備都不能對中國出售，中國存儲芯片這次恐怕無法快速提升存儲芯片的技術(shù)，很可能在未來數(shù)年時間都將落后于美日韓存儲芯片，讓它們獲得喘息之機。

不過在存儲芯片行業(yè)，中國的芯片設備則有一定的優(yōu)勢，中國的刻蝕機企業(yè)已研發(fā)成功5納米刻蝕機，在諸多芯片設備當中追上了全球主流技術(shù)水準，如此美日韓存儲芯片行業(yè)先進的刻蝕技術(shù)應不會保持太長時間。

同時中國是全球最大的芯片市場，目前國產(chǎn)存儲芯片占有的市場份額不過5%左右，即使僅是占領(lǐng)國內(nèi)市場也還有數(shù)倍的增長空間，這都可以為國產(chǎn)存儲芯片提供發(fā)展的沃土，以及緩沖的機會，美日韓存儲芯片將無法依靠先進的技術(shù)壓制中國存儲芯片。

中國的存儲芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展讓海外吃驚，也讓他們看到中國芯片的巨大潛力，短短數(shù)年時間就從零起步到趕上主流技術(shù)水平，說明只要中國芯片行業(yè)共同努力，其他芯片技術(shù)跟上全球主流水平有很大希望，日本暫時的技術(shù)優(yōu)勢只會刺激中國存儲芯片加快技術(shù)發(fā)展，盡快跟上它們的腳步。