8英寸是國(guó)產(chǎn)設(shè)備商的機(jī)遇期

今年來(lái)，國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)頻頻聯(lián)手國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底、材料等環(huán)節(jié)企業(yè)，加速發(fā)展8英寸碳化硅。

這背后，一方面是國(guó)際龍頭對(duì)國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底廠商技術(shù)進(jìn)步的認(rèn)可，另一方面也是看中中國(guó)新能源市場(chǎng)機(jī)遇，尋求本地化供應(yīng)。

據(jù)相關(guān)人士表示，意法半導(dǎo)體和三安光電在重慶建廠，正是瞄準(zhǔn)中國(guó)的汽車市場(chǎng)，重慶擁有長(zhǎng)安等車企，方便就近供應(yīng)客戶。

根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，2021~2027年全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望從10.9億美元增長(zhǎng)到62.97億美元，保持年均34％的復(fù)合增速。

其中，車規(guī)級(jí)市場(chǎng)是碳化硅最主要的應(yīng)用場(chǎng)景，有望從2021年6.85億美元增長(zhǎng)至2027年49.86億美元。

在新能源產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁需求下，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)步入高速成長(zhǎng)期，碳化硅襯底仍處于供不應(yīng)求狀態(tài)。

目前碳化硅襯底在功率元器件中成本占比接近50%，所以國(guó)際巨頭布局碳化硅產(chǎn)業(yè)都在搶占8英寸先機(jī)，甚至將量產(chǎn)時(shí)點(diǎn)提前至今年。

現(xiàn)在6英寸向8英寸擴(kuò)徑的行業(yè)趨勢(shì)明確，如果我們國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商仍大幅提升6英寸襯底設(shè)備產(chǎn)能將面臨“投產(chǎn)即落后”的問題。

所以設(shè)備廠商在本階段應(yīng)該重點(diǎn)突破和布局8英寸襯底設(shè)備產(chǎn)能，才能實(shí)現(xiàn)彎道超車。

碳化硅市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

目前而言，在碳化硅襯底市場(chǎng)主要分為三大梯隊(duì)，行業(yè)高度集中。

據(jù)智研咨詢統(tǒng)計(jì)，美國(guó)Wolfspeeed公司占據(jù)全球60%以上的市場(chǎng)份額，2015年推出8英寸碳化硅襯底，位列市場(chǎng)第一梯隊(duì)；

其他海外領(lǐng)軍廠商如羅姆、II-VI、意法半導(dǎo)體等也相繼開展襯底材料業(yè)務(wù)，到2021年已具備8英寸襯底的生產(chǎn)能力，海外領(lǐng)軍廠商和我國(guó)襯底行業(yè)龍頭企業(yè)加快產(chǎn)品研發(fā)，產(chǎn)品在國(guó)際上的市占率也在持續(xù)提升，處于第二梯隊(duì)；

國(guó)內(nèi)企業(yè)起步較晚，研發(fā)進(jìn)度相比國(guó)外企業(yè)較慢，中小型襯底材料生產(chǎn)商技術(shù)處于借鑒和完善階段，屬于第三梯隊(duì)。

國(guó)內(nèi)多家廠商正在破局8英寸

據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，國(guó)內(nèi)有十余家企業(yè)與機(jī)構(gòu)正在積極研發(fā)，包含爍科晶體、晶盛機(jī)電、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、同光股份、天科合達(dá)、科友半導(dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體、中科院物理所、山東大學(xué)等。

賽微電子、三安光電、露笑科技等也有相關(guān)產(chǎn)能在投建中。

今年5月，天岳先進(jìn)、天科合達(dá)簽約英飛凌，供貨碳化硅6英寸襯底、合作制備8英寸襯底。

6月，三安光電與意法半導(dǎo)體結(jié)盟升級(jí)，斥資32億美元共建8英寸碳化硅外延、芯片合資代工廠，并計(jì)劃通過三安光電全資子公司，投入70億元建設(shè)年產(chǎn)48萬(wàn)片/年的8英寸碳化硅襯底。

中電化合物也宣布與韓國(guó)Power Master簽訂了長(zhǎng)期供應(yīng)8英寸在內(nèi)的碳化硅材料的協(xié)議，公司預(yù)計(jì)未來(lái)3年碳化硅產(chǎn)能將達(dá)到8萬(wàn)片。

6月27日，晶盛機(jī)電宣布，已成功研發(fā)出8英寸碳化硅外延設(shè)備。在子公司晶瑞的8英寸襯底基礎(chǔ)上，已實(shí)現(xiàn)8英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備的自主研發(fā)與調(diào)試，外延的厚度均勻性1.5%以內(nèi)、摻雜均勻性4%以內(nèi)。

國(guó)外布局8英寸情況

Wolfspeed在2022年4月啟用了全球第一家8英寸碳化硅晶圓廠、2023年2月宣布計(jì)劃在德國(guó)薩爾州再建8英寸碳化硅工廠，新工廠預(yù)計(jì)可于2023年上半年啟動(dòng)。

Coherent在2022年3月宣布將在美國(guó)伊斯頓大規(guī)模建設(shè)近30萬(wàn)平方英尺的工廠，以擴(kuò)大6英寸和8英寸SiC襯底和外延晶片的生產(chǎn)。

羅姆于2009年收購(gòu)德國(guó)SiC襯底和外延片供應(yīng)商SiCrystal、在2015年展示了8英寸SiC襯底。在PowerUP Expo 2022上表示將于2023年開始量產(chǎn)8英寸SiC襯底產(chǎn)品。

英飛凌計(jì)劃在2023年左右開始量產(chǎn)8英寸襯底，2025年實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅器件的量產(chǎn)。

Soitec在2022年5月發(fā)布了首款8英寸碳化硅SmartSiC晶圓。在2022年3月啟動(dòng)新晶圓廠建設(shè)計(jì)劃，用于6英寸、8英寸SmartSiC晶圓制造，預(yù)計(jì)2023年下半年建成投產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體目前正積極推進(jìn)碳化硅晶圓產(chǎn)線從6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型，預(yù)計(jì)2023年8英寸碳化硅晶圓即將量產(chǎn)。

實(shí)際上現(xiàn)在僅有Wolfspeed實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅量產(chǎn)，而大多數(shù)國(guó)際企業(yè)則將8英寸碳化硅襯底的量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)定在2023年左右。

國(guó)內(nèi)8英寸SiC晶圓量產(chǎn)難點(diǎn)

高溫工藝關(guān)乎著SiC的良率，這也是各大SiC廠商所著力研發(fā)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。

而除了與硅晶圓在生產(chǎn)工藝上有所差異以外，在SiC從6英寸向8英寸發(fā)展的過程中也存在著一些差異。

在功率半導(dǎo)體制造的離子注入、薄膜沉積、介質(zhì)刻蝕、金屬化等環(huán)節(jié)，8英寸碳化硅與6英寸SiC的差距不大。

8英寸SiC的制造難點(diǎn)主要集中在襯底生長(zhǎng)、襯底切割加工、氧化工藝。

其中，襯底生長(zhǎng)方面，擴(kuò)徑到8英寸，對(duì)襯底生長(zhǎng)的難度會(huì)成倍增加；襯底切割加工方面，越大尺寸的襯底切割應(yīng)力、翹曲的問題越顯著。

氧化工藝一直是碳化硅工藝中的核心難點(diǎn)，8英寸、6英寸對(duì)氣流和溫場(chǎng)的控制有不同需求，工藝需各自獨(dú)立開發(fā)。

目前碳化硅產(chǎn)業(yè)以6英寸為主流，占據(jù)近80%市場(chǎng)份額，8英寸則不到1％。

若達(dá)到成熟階段，8英寸單片的售價(jià)約為6英寸的1.5倍，且8英寸能夠生產(chǎn)的晶粒數(shù)約為6英寸SiC晶圓的1.8倍，晶圓利用率會(huì)顯著提高。

6英寸SiC襯底國(guó)內(nèi)的良率大概有40%，海外大概60~70%，在8英寸方面實(shí)際進(jìn)展并不如預(yù)期。

結(jié)尾：

可以看到，國(guó)際企業(yè)大多將8英寸碳化硅襯底的量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)定在2023年左右，但中國(guó)企業(yè)也步步緊追，目前國(guó)內(nèi)企業(yè)宣布將在2023年實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅襯底的小批量量產(chǎn)。

當(dāng)然，“小批量量產(chǎn)”與“量產(chǎn)”是不同的，二者在良率、成本上有著本質(zhì)的差別。

今年中國(guó)襯底材料行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局競(jìng)爭(zhēng)將更加激烈且更加復(fù)雜，所以研發(fā)能力強(qiáng)、生產(chǎn)設(shè)備尖端，優(yōu)質(zhì)企業(yè)實(shí)力逐漸提升等將是未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵因素。