此前日本已遵從美國的要求限制23種芯片設(shè)備和材料對中國出口，如今荷蘭也宣布了最新的決定，很可能導(dǎo)致ASML連38納米的1980Di光刻機(jī)出口也將造成障礙，中國的芯片制造工藝可能由此被阻止在40納米以上。

美國為了阻止中國發(fā)展先進(jìn)芯片產(chǎn)業(yè)，可謂竭盡全力，2022年下半年，美國就已要求ASML限制14納米以下的光刻機(jī)出口，然而這半年多時間以來，中國大舉擴(kuò)張28納米成熟工藝產(chǎn)能，依靠成熟工藝滿足國內(nèi)芯片的需求。

今年3-5月份的數(shù)據(jù)顯示中國的芯片產(chǎn)能率先反彈，中國的芯片進(jìn)口量進(jìn)一步減少了450億顆，顯示出成熟工藝芯片仍然能滿足國內(nèi)的需求，可以成熟工藝芯片替代進(jìn)口芯片，這就讓美國煩心了，由此導(dǎo)致美國開始拉攏日本、荷蘭進(jìn)一步采取措施。

日本首先響應(yīng)，日本限制對中國出口45納米以下的芯片設(shè)備和材料，不過最關(guān)鍵的還是光刻機(jī)，畢竟光刻機(jī)目前難以替代，而ASML就是光刻機(jī)的領(lǐng)頭羊，這次美國成功拉攏了荷蘭，促使荷蘭出臺了最新的限制條件，ASML只能遵從。

此前ASML就曾表示它能對中國出口的最先進(jìn)光刻機(jī)為38納米的1980Di，這款光刻機(jī)可以通過多重曝光的方式實(shí)現(xiàn)28納米乃至14納米工藝，如今荷蘭進(jìn)一步采取措施，ASML恐怕連這款光刻機(jī)對中國的出口也將成為問題，這已導(dǎo)致ASML的股價大幅下跌。

面對美國、日本荷蘭的做法，中國的芯片產(chǎn)業(yè)難道真的因此而被鎖死在40納米以上，恐怕未必，畢竟這幾年中國的光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈也在加快發(fā)展。

中國自研的28納米光刻機(jī)已在驗(yàn)證當(dāng)中，在更先進(jìn)的光刻機(jī)技術(shù)方面，日前哈爾濱工業(yè)大學(xué)就公布了一項(xiàng)“捅破天”的技術(shù)“能量轉(zhuǎn)換等離子體電路”，將DPP-EUV光從原理上推向了實(shí)際，在EUV光源方面取得重大突破，哈爾濱工業(yè)大學(xué)此前還公布了"超高精干涉"等技術(shù)，為國產(chǎn)光刻機(jī)的關(guān)鍵技術(shù)突破提供了支持。

國產(chǎn)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈通過共同努力還在物鏡、雙工作臺等關(guān)鍵部件方面取得了進(jìn)展，國產(chǎn)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈在進(jìn)一步完善，相信在各方的共同努力下國產(chǎn)先進(jìn)光刻機(jī)必將會變成現(xiàn)實(shí)。

在芯片制造的其他環(huán)節(jié)，其實(shí)中國芯片產(chǎn)業(yè)鏈做得更快，芯片封裝技術(shù)已達(dá)到4納米，刻蝕機(jī)達(dá)到5納米，光刻膠等材料也在加快推進(jìn)到5納米，這些無不顯示出國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈的快速進(jìn)步。

上述這些都是基于現(xiàn)有的硅基芯片技術(shù)，硅基芯片技術(shù)體系掌握在美國手里，中國只能一步步追趕，真正實(shí)現(xiàn)趕超的希望在于更先進(jìn)的光子芯片、量子芯片技術(shù)，這些先進(jìn)芯片技術(shù)將趕超現(xiàn)有的硅基芯片技術(shù)，而且中國在這些先進(jìn)芯片技術(shù)方面從一開始就注重國產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈的自主研發(fā)，將不再受制于海外。

筆者認(rèn)為荷蘭、日本跟進(jìn)美國的芯片限制，固然會對中國芯片產(chǎn)業(yè)鏈造成障礙，但是這也將讓中國芯片產(chǎn)業(yè)鏈感受到緊迫性，從而促使各方共同協(xié)作，進(jìn)而加速國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈的推進(jìn)，相信中國人民的智慧和力量，自主研發(fā)實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)必然會成為現(xiàn)實(shí)。