第二代非易失性靜態RAM(nvSRAM)
2021-04-08
來源:電子產品世界
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英飛凌科技股份公司(fse:ifx / otcqx:ifnny)旗下的infineon technologies llc推出第二代非易失性靜態ram(nvsram)。新一代器件已通過qml-q和高可靠性工業規格的認證,支持苛刻環境下的非易失性代碼存儲和數據記錄應用,包括航天和工業應用。
256 kb stk14c88c和1 mb stk14ca8c nvsram采用32引腳300 mil雙列直插式陶瓷封裝,符合mil-prf-38535 qml-q規格(-55°c至125°c)和英飛凌的工業標準(-40 °c至85°c)。5 v和3 v版本均支持用于航天、通信和導航系統以及工業高爐和鐵路控制系統的引導代碼、數據記錄和校準數據存儲。英飛凌還提供晶圓銷售,以支持封裝系統。infineon technologies llc航天與國防業務副總裁helmut puchner表示:“新一代nvsram擴展了英飛凌在電荷阱型存儲器領域的領導地位。我們nvsram系列中新增的這些符合qml-q規范的高可靠性工業用器件證明了我們致力于為需要高性能、高可靠性存儲器的惡劣工作環境提供解決方案。”
英飛凌的nvsram技術將高性能sram與一流的sonos非易失性技術相結合。在正常工作條件下,nvsram的作用類似于傳統的異步sram。斷電時,nvsram會自動將sram數據的副本保存到非易失性存儲器中,該數據的保護期限超過20年。英飛凌已交付超過20億顆基于sonos的非易失性嵌入式或獨立存儲器。
