不知道從什么時(shí)候起，很多人認(rèn)為制造7nm芯片，必須要有EUV光刻機(jī)，而一旦得不到EUV光刻機(jī)，最多就是10nm，進(jìn)入不了7nm。

但不曾想，前段時(shí)間遙遙領(lǐng)先品牌，搞出了一顆等效于7nm的芯片，其晶體管密度達(dá)到了98MTr/mm2，也就是9800萬(wàn)個(gè)每平方毫米，等效于臺(tái)積電、三星的7nm工藝。

一時(shí)之間，網(wǎng)友們都沸騰了，不僅國(guó)內(nèi)的網(wǎng)友沸騰了，連海外媒體也沸騰了，天天拆解這款手機(jī)，分析這顆芯片，最后得出的結(jié)論是，沒(méi)有EUV光刻機(jī)的痕跡。

這就證明了，它不是EUV光刻機(jī)的產(chǎn)物，而看到這個(gè)結(jié)果，估計(jì)ASML也是松了口氣，因?yàn)橐坏┯蠩UV光刻機(jī)的痕跡，只怕ASML跳進(jìn)黃河也洗不清了，因?yàn)槿蛑挥兴軌蛏a(chǎn)，而美國(guó)不準(zhǔn)他賣(mài)到中國(guó)大陸來(lái)的，他怎么敢背這個(gè)鍋。

然后，大家就又猜測(cè)，那么沒(méi)有EUV光刻機(jī)，7nm芯片又是怎么來(lái)的呢？

事實(shí)上，通過(guò)浸潤(rùn)式光刻機(jī)，經(jīng)過(guò)多次曝光，完全可以實(shí)現(xiàn)7nm工藝。而多重曝光方式，甚至有LELE、LFLE、SADP等多種方式。

只不過(guò)與采用EUV光刻機(jī)相比，多重曝光方式意味著工藝更復(fù)雜，良率會(huì)降低，效率會(huì)降低，成本會(huì)提高而已，當(dāng)沒(méi)有辦法時(shí)，那也不得不用。

之前臺(tái)積電的第一代N7工藝，就是使用的浸潤(rùn)式光刻機(jī)生產(chǎn)的，比如蘋(píng)果的A12、華為海思980，均是浸潤(rùn)式光刻機(jī)下的7nm產(chǎn)物。臺(tái)積電直到第二代N7工藝，才導(dǎo)入EUV光刻機(jī)，在當(dāng)初的時(shí)候，臺(tái)積電還會(huì)強(qiáng)調(diào)，這是EUV 7nm工藝，與非EUV工藝進(jìn)行區(qū)分。

而使用浸潤(rùn)式光刻機(jī)，能夠制造出7nm芯片，也是我們的底氣，因?yàn)榻?rùn)式光刻機(jī)，目前國(guó)內(nèi)并不少，這么多年購(gòu)買(mǎi)下來(lái)，產(chǎn)能非常大，毫不擔(dān)心封禁。

何況按照媒體的說(shuō)法，目前國(guó)內(nèi)自研的浸潤(rùn)式光刻機(jī)，也快要來(lái)了，所以這就是我們的底氣和能力。

而近日，浸潤(rùn)式光刻機(jī)之父林本堅(jiān)，前臺(tái)積電研發(fā)副總，更是有不同的觀點(diǎn)，他覺(jué)得中國(guó)大陸甚至有可能利用現(xiàn)有的設(shè)備，進(jìn)行改進(jìn)，制造出5nm的芯片出來(lái)，不一定非得要EUV光刻機(jī)才行。

當(dāng)然會(huì)不會(huì)是這樣，就讓我們拭目以待了，當(dāng)謎底真正掀開(kāi)的那一刻，估計(jì)我們就全部做好了準(zhǔn)備，畢竟能夠制造5nm芯片，意味著全球98%的芯片能夠制造了，那還怕啥？