眾所周知，在芯片制造過程中，光刻機是最重要，也是成本最高的設備之一，同時光刻工藝也是最復雜，難度最大，耗時最長的工藝。

同時，國產(chǎn)光刻機相對于國際領先水平而言，確實也落后很多，于是很多人一直心中有疑問，那就是國產(chǎn)光刻機，究竟發(fā)展到哪一步了？今天就和大家談談這個問題。

我們通常所說的光刻機，其實有兩種。

一種是前道光刻機，用于芯片制造的光刻機，采用曝光工藝，將芯片設計電路圖，投射到硅片上。

還有一種是后道光刻機，用于芯片制造完成后的封裝用光刻機。

我們先不說前道光刻機，先說說后道光刻機，讓大家高興一下。

在后道光刻機這地塊，其實國內(nèi)技術并不差，上海微電子在后道光刻機領域，拿下了全球37%的市場份額，在國內(nèi)更是拿下了85%的份額，比ASML厲害多了。

全球的封測企業(yè)，很多都從上海微電子這里采購后道光刻機，用于芯片封裝。

當然后道光刻機，門檻沒有前道光刻機那么高，難度也小一些，所以我們能夠有這么厲害。

再說前道光刻機，這一塊就是ASML的天下了，ASML一家就占了全球80%以上的份額。

而前道光刻機又分為i線、G線、KrF、ArF、ArFi、EUV這么幾種，其中ArF是普通干式光刻機，最高工藝支持到65nm，ArFi則是浸潤式光刻機，最高支持工藝是7nm。

EUV是極紫外線光刻機，用于7nm工藝以下。

目前全球只有ASML能夠制造EUV光刻機。ArFi光刻機，全球只有ASML和尼康能夠制造。

如上圖所示，可以明顯看到在前道光刻機這一塊，4家主流玩家的工藝水平。

ASML處于王者地位，技術最牛，尼康差一些，達到了高端的水準，也就是ArFi。而上海微電子和佳能一樣，處于低端領域，還在90nm工藝階段。

當然，也有網(wǎng)友表示，國內(nèi)水平不只是90nm，只是還沒有公開而已，那這個就見仁見智了，沒公開的我們就沒法去說了，只能用公開的數(shù)據(jù)來分析。

由此可見，整個光刻機領域，后道光刻機，我們已經(jīng)處于領先水平，主要需要突破的是前道光刻機，目前掌握的是ArF技術，下一步是要突破ArFi技術，也就是浸潤式技術。

至于什么時候突破，就得看上海微電子的了，期待早突破吧，目前雖然在90nm，但只要一步，突破了ArFi，就能達到7nm，那么美國的封鎖，直接就失敗了。