目前全球有兩大晶圓廠，已經(jīng)進(jìn)入了3nm工藝。

一家是臺積電，已幫蘋果制造3nm的芯片，分別是A17 Pro、M3系列。一家是三星，雖然暫時還沒有基于三星3nm工藝的手機芯片，但去年三星就已經(jīng)量產(chǎn)了，礦機廠商已經(jīng)用上了。

在實現(xiàn)3nm之后，下一個目標(biāo)是2nm。

與3nm不同，2nm工藝時，會有三家廠商競技了，分別是臺積電、三星、intel。

臺積電的計劃是2025年實現(xiàn)2nm，采用的是GAAFET晶體管技術(shù)，目前已經(jīng)展示了 N2 原型工藝。

不過外界認(rèn)為，由于臺積電在N2時才使用GAAFET晶體管技術(shù)，這也是臺積電第一次使用GAAFET晶體管技術(shù)，所以進(jìn)展未必這么順利，2025年能不能量產(chǎn)，很難講。

三星同樣計劃在2025年，大規(guī)模生產(chǎn) 3nm 或 "SF3" 芯片的公司。由于三星去年的3nm工藝，就使用了GAAFET（環(huán)繞柵極）新型晶體管架構(gòu)，所以大家認(rèn)為，三星從3nm進(jìn)入2nm，相對而言，會更加穩(wěn)妥，已經(jīng)積累了經(jīng)驗。

而intel這一次也會加入戰(zhàn)場，原來英特爾一直在芯片工藝命名上堅持已見，但后來看到落后臺積電、三星們越來越遠(yuǎn)。于是直接將工藝改名，打不過就加入，所以工藝也基本上追上了臺積電。

intel的目標(biāo)更加激進(jìn)，他表示自己要在2024年底，實現(xiàn)1.8nm工藝，也就是臺積電、三星們的2nm，采用的也是GAAFET晶體管技術(shù)。

英特爾表示，自己有可能成為全球第一家進(jìn)入2nm工藝的廠商。不過臺積電卻來拆臺，表示自己的 3nm，在功率、性能和密度方面可與 Intel 18A 相媲美。

當(dāng)然，2nm只是這三家巨頭的戰(zhàn)場，中國大陸暫時沒有參與的資格，只是看看戲罷了，別那么好高騖遠(yuǎn)。

目前我們的戰(zhàn)場在5nm，自從華為拿出麒麟9000S后，證明了我們擁有了7nm的能力，那么下一步，就是搞定5nm，這個目標(biāo)說難不難，說容易也不容易。

按照林本堅的說，浸潤式光刻機，經(jīng)過多重曝光后，是能夠?qū)崿F(xiàn)5nm的，所以我們真有進(jìn)入5nm工藝的基礎(chǔ)和能力，并不會太遠(yuǎn)。

而5nm與2nm，相差其實也并不遠(yuǎn)，只有2代，再加上目前97%以上的芯片，使用5nm及以上的工藝，所以差距其實越來越近了，這是美國最不愿意看到，卻是我們期待已久的。