集邦咨詢的報告顯示，ASML阿斯麥將在2024年生產最多10臺新一代高NA(數(shù)值孔徑) EUV極紫外光刻機，其中Intel就定了多達6臺。

同時，三星星也在積極角逐新光刻機，臺積電感覺壓力巨大。

NA數(shù)值孔徑是光刻機光學系統(tǒng)的重要指標，直接決定了光刻的實際分辨率，以及最高能達到的工藝節(jié)點。

金屬間距縮小到30nm以下之后，也就是對應的工藝節(jié)點超越5nm，低NA光刻機的分辨率就不夠了，只能使用EUV雙重曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技術來輔助，不但會大大增加成本，還會降低良品率。

因此，更高的NA成為必需。

ASML 9月份曾宣布，將在今年底發(fā)貨第一臺高NA EUV光刻機，型號“Twinscan EXE:5000”，從0.33做到0.55，光刻分辨率縮小到8nm，可制造2nm工藝乃至更先進的芯片。

ASML沒有公布第一臺高NA EUV光刻機的客戶，但業(yè)界普遍認為正是Intel。

Intel最初就計劃利用新光刻機投產Intel 18A工藝，但因為等不及，只能改用已有的0.33 NA NXE:3600D/3800E疊加雙重曝光。

ASML明年量產的高NA EUV光刻機，將是改進型的Twinscan EXE:5200，支持大規(guī)模量產。

未來，ASML將把年產量進一步提高到20臺左右。

這種新光刻機的成本和價格沒有公開，猜測至少3億美元，甚至可能達到或超過4億美元，也就是逼近人民幣30億元。

目前的低NA EUV光刻機需要2億美元左右。

相關消息，ASML總裁兼CEO皮特·溫寧克（Peter Wennink）將于2024年4月24日退休。

ASML監(jiān)事會宣布，擬任命現(xiàn)任首席商務官兼管理委員會成員克里斯托弗·富凱（Christophe Fouquet ）擔任公司下一任總裁兼CEO。

據(jù)悉，該任命須經2024年4月24日的年度股東大會批準。

即將上任的克里斯托弗·富凱（Christophe Fouquet ）

ASML總裁兼CEO皮特·溫寧克（Peter Wennink）稱贊克里斯托弗是一位出色的繼任者，他從明年4月起領導ASML。克里斯托弗已在ASML工作了15年，主要負責 ASML的技術、產品和客戶工作。

克里斯托弗在ASML的職業(yè)生涯始于DUV業(yè)務，隨后領導了ASML快速增長的兩條業(yè)務線——應用業(yè)務和EUV業(yè)務，最近又領導了ASML的所有業(yè)務線。

“我們都擁有‘ASML DNA’——合作與伙伴關系。我將與Christophe密切配合，支持他順利進入新角色。”溫寧克說。

ASML現(xiàn)任總裁兼CEO皮特·溫寧克（Peter Wennink）

溫寧克從2013年7月以來一直領導著ASML，帶領這家荷蘭企業(yè)一步步邁向巔峰。過去十年里，ASML推出了最先進的晶圓制造設備，成為全球領先的光刻機巨頭。

今年9月，溫寧克在當?shù)仉娨暪?jié)目Nieuwsuur上表示，完全孤立中國是沒有希望的。如果我們不分享技術，他們就會自己去研究。

“中國有14億人，其中很多人都很聰明。他們會提出我們還沒想到的解決方案。你在迫使他們變得非常創(chuàng)新。”

溫寧克認為，試圖通過禁止技術移民和出口管制等方式孤立中國，實際上會削弱西方自己。

從9月1日開始，在美國方面的壓力下，荷蘭政府出臺的半導體設備出口管制新規(guī)正式生效，ASML發(fā)運TWINSCAN NXT：2000i及后續(xù)推出的浸潤式光刻系統(tǒng)，都要獲得荷蘭當局的許可。