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華虹半導體宣布量產90nm BCD工藝:性能高、核心面積小

2021-06-07 來源:中電網
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國產半導體廠商正在一步步追趕國際先進水平,日前華虹半導體宣布,該公司推出的90nm BCD工藝已經在華虹無錫12英寸生產線已實現規模量產。

華虹指出,90nm BCD工藝具備性能高、核心面積較小等優勢,擁有更佳的電性參數,并且得益于12英寸制程的穩定性,良率優異,為數字電源、數字音頻功放等芯片應用提供了更具競爭力的制造方案。

90nm BCD工藝還是先進工藝?對不了解半導體工藝的人來說可能真有這個疑問,這個新工藝的重點是BCD——BIPOLAR-CMOS-DMOS,是ST意法半導體在80年代發明的功率芯片技術。

BCD是一種復雜的硅芯片制造工藝,每種BCD工藝都具備在同一顆芯片上成功整合三種不同制造技術的優點,包括用于高精度處理模擬信號的雙極晶體管,用于設計數字控制電路的CMOS(互補金屬氧化物半導體)和用于開發電源和高壓開關器件的DMOS(雙擴散金屬氧化物半導體)。

ST意法目前依然是全球領先的BCD工藝制造商,35年來生產了500萬片晶圓,售出400億顆芯片,僅2020年就售出近30億顆芯片,工藝發展了十代了,此前主要是350nm、180nm、110nm等,最新量產的十代工藝也是90nm BCD。

從這一點上來看,華虹的90nm BCD工藝確實是該領域的先進工藝,技術優勢明顯,而中芯國際等國內其他代工廠也在開發90nm BCD工藝,華虹的進度也是領先的。



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