常州晶訊聚震科技有限公司宣布在其完全自主知識產權，基于核心專利襯底的TF-SAW濾波器多款產品和單晶FBAR高頻濾波器完成重大突破：

核心突破一：無侵權TF-SAW雙工器/四工器量產，性能與成本雙優

· 自主專利襯底，打破壁壘： 晶訊成功量產多款基于非Soitech POI襯底，自主生產6英寸COI TF-SAW雙工器與四工器（覆蓋B66/B25/B7/B25+66+70等關鍵頻段），其襯底結構專利顯著區別于村田(Murata)與Soitec，確保完全無IP侵權風險。

· 性能卓越，尺寸靈活： 量產產品尺寸為1.6mm x 1.2mm，并同時滿足1.4mm x 1.1mm的客戶需求。在量產性能和一致性上取得實現重大突破， Typical IL<-1.6db. （圖一），溫度漂移系數**<5ppm/℃**，滿足車規級可靠性

· 成本優勢顯著： 晶訊自主生產的COI襯底在晶圓端實現了接近30%的成本遞減，為終端客戶提供更高性價比的射頻前端解決方案，滿足手機與物聯網設備對高性能濾波器的爆炸性需求。

圖1 .B25DPX實測新能

目前晶訊正努力的擴大產能，在2025年Q3滿足更多終端客戶的量產需求。

核心突破二：單晶FBAR UHF WiFi 6/7新能突破壁壘

·WiFi 6/7全覆蓋：量產的單晶FBAR濾波器實現高頻段全覆蓋：

·WiFi 6FB：中心頻率(f0 ):5503MHz， 帶寬(BW):665MHz,

·WiFi 7FB：中心頻率(f0) 6535MHz，帶寬(BW) 1180MHz

·性能全面領先：在插入損耗(IL)、帶外抑制及功率承載等核心指標上取得革命性突破

·卓越的功率承載： WiFi 7FB實測可承載高達36dBm功率（調制模式QPSK，帶寬10MHz），滿足最嚴苛應用場景。

·超低插損與高抑制： 顯著優于國際競品，完美解決多頻段共存干擾難題。

·“無IP侵權”單晶高摻雜外延技術：專利的單晶高摻雜AlScN POI晶圓與獨特設計，掌握從單晶外延、前道制程到封裝的全流程自主技術，核心專利已獲美國及多地區授權。

該系列產品可實現WiFi 6GHz全覆蓋、將廣泛應用于5G智能手機、可穿戴產品、CPE、近地軌道衛星通信、WiFi 6無線路由器、無人機、工業機器人、筆記本電腦等產品終端，兩顆物料封裝尺寸分別為1.4 mm*1.1mm和1.8mm*1.4mm(與國外主流品牌Pin腳兼容)，

圖2 產品實物：WiFi 6 FB 1.4mm x 1.1mm（左）；WiFi 7 FB 1.8mm x 1.4mm（右）

圖3 晶訊WiFi 6 FB濾波器實測性能

圖4 晶訊WiFi 7 FB濾波器實測性能

同時為滿足客戶的更高功率的承載要求，CRT WiFi 7FB實際可承載功率為36dbm, 和國際大廠Q B83xx在客戶端的實際測試對比詳見下表

圖5 測試條件：調制模式QPSK，測試帶寬10MHz

晶訊聚震創始人兼首席執行官Dror Hurvits 表示：“晶訊聚震致力于讓客戶體驗更完美的信號傳輸通訊，COI TF-SAW和WiFI 6&& FBAR性能上的突破，這代表了世界領先的濾波器工藝技術和先進封裝技術！這兩個系列的i濾波器均利用了晶訊聚震“無IP侵權”的專利術，掌握了從單晶外延片、前道制程、后端MEMS工藝和封裝的全流程工藝技術，產品不僅全部中國制造，重要的是，它也是中國創造，所有自主專利已獲美國和其他地區授權。同時，晶訊目前正在導入多家領先的WiFi SoC和OEM供應商提供高性能的WiFi6 FB & WiFi7 FB共存濾波器。“

截止目前晶訊已可以為海外和國內客戶提供以下7款高頻濾波器，滿足客戶需求 （圖6）

圖6-晶訊部分已量產的高頻FBAR濾波器

晶訊聚創自成立以來持續迭代的單晶襯底技術和大量的專利授權，晶訊聚震已完成4大類的產品布局，

A. 用于Sub-3G以下頻段的TF-SAW；

B. 超高頻率的單晶XOI BAW；

C. Sub-6G的高頻大功率 MCM-FBAR；

D. 5G&WiFI 頻段的單晶 POI-FBAR。

圖7 晶訊創新的單晶濾波器架構

晶訊聚震依托公司自有專利的單晶壓電FBAR及COI材料、設計，制造先進的濾波器，公司位于天津的1600平方米晶圓廠專注于制造高性能壓電外延，具備對以壓電外延薄膜為基礎制造的濾波器進行射頻測試及調頻的能力，常州工廠完成晶圓的最終加工，公司產品覆蓋了中高頻的濾波器、雙工器、多工器以及混合濾波器。