SK海力士量產(chǎn)第4代DRAM

據(jù)韓國中央日報日語版 7月13日報道，SK海力士開始利用EUV光刻機(jī)生產(chǎn)第4代DRAM。

繼內(nèi)存排名第三的鎂光之后，SK－海力士成了第二家量產(chǎn)第4代DRAM的廠家。

LPDDR4 （Low Power Double Data Rate 4）是專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格。

此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節(jié)點(diǎn)。

預(yù)計從下半年開始向智能手機(jī)廠商供應(yīng)適用1a納米級技術(shù)的移動端DRAM。

SK海力士通過此次量產(chǎn)確保了EUV工藝技術(shù)的穩(wěn)定性，并表示未來的1a納米級 DRAM都將采用EUV工藝進(jìn)行生產(chǎn)。

相較前一代1z納米級工藝的同樣規(guī)格產(chǎn)品，1a納米級DRAM在每一張晶圓中可產(chǎn)出的產(chǎn)品數(shù)量約提高了25％。

此次新產(chǎn)品穩(wěn)定支持 LPDDR4 移動端DRAM規(guī)格的最高速度（4266Mbps），并相較前一代產(chǎn)品其功耗也降低了約20％。

在本次LPDDR4產(chǎn)品之后，SK海力士還計劃從明年初開始將1a納米級工藝導(dǎo)入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。

10納米級DRAM是今年1月，由鎂光首次出貨的，這給市場帶來了不小的震動。不過，鎂光將使用現(xiàn)有的氟化氬工藝而不是EUV來生產(chǎn)該產(chǎn)品。

新產(chǎn)品的速率將穩(wěn)定在4266 Mbps，是標(biāo)準(zhǔn)LPDDR4移動端DRAM規(guī)范中最快的傳輸速率，同時功耗將降低20％，SK海力士將從明年初開始將1a nm級工藝技術(shù)應(yīng)用于旗下的DDR5產(chǎn)品。

這次比較特別的是，SK海力士通過部分采用了EUV技術(shù)，完成了對其穩(wěn)定性的驗(yàn)證，首次使用EUV光刻設(shè)備進(jìn)行量產(chǎn)。

此次量產(chǎn)的1a納米級DRAM在生產(chǎn)效率和成本競爭力層面都有改善，從而可以期待更高的盈利。

通過將EUV技術(shù)全面導(dǎo)入量產(chǎn)程序，SK海力士有望進(jìn)一步鞏固引領(lǐng)尖端技術(shù)的高新企業(yè)地位。

利用EUV光刻技術(shù)生產(chǎn)芯片將被擴(kuò)大

如今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對于芯片制作精密度的要求越來越高，半導(dǎo)體技術(shù)繼續(xù)向超微級發(fā)展，但卻卡在18nm－15nm區(qū)間無法突破。

因此，越來越多的半導(dǎo)體公司開始嘗試使用EUV光刻機(jī)進(jìn)行半導(dǎo)體制作，以求實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。

EUV光刻機(jī)技術(shù)是指在極紫外光下，通過反射投影光學(xué)系統(tǒng)，將反射掩模上的圖形投影成像在硅片表面的光刻膠上。

與先前的1znm節(jié)點(diǎn)相比，1anm技術(shù)將在相同尺寸的晶圓芯片上增加25％的芯片數(shù)量，穩(wěn)定運(yùn)行速率達(dá)到4266Mbps，是目前標(biāo)準(zhǔn)LPDDR4移動DRAM中運(yùn)行速度最快的存在；

并且在增加傳輸速率的同時減少了20％的功耗，這將減少二氧化碳的排放，有利于踐行綠色發(fā)展觀。

隨著技術(shù)的遷移，越來越多的半導(dǎo)體企業(yè)采用EUV光刻設(shè)備生產(chǎn)芯片，一家半導(dǎo)體企業(yè)在技術(shù)上的領(lǐng)先取決于如何充分利EUV光刻設(shè)備。

采用EUV技術(shù)生產(chǎn)DRAM的好處

多年來，半導(dǎo)體光刻設(shè)備取得了許多進(jìn)步，EUV能夠幫助繪制更精細(xì)的電路，因此可以讓芯片在相同的表面積內(nèi)存儲更多的數(shù)據(jù)。

采用EUV技術(shù)生產(chǎn)DRAM的好處：可以用更小、更精細(xì)的形式繪制電路；大幅節(jié)省了掩模成本和光刻處理步驟；在相同的表面積中能夠存儲更多的數(shù)據(jù)；芯片能耗更令人滿意。

同時，使電路更精細(xì)意味著更多的邏輯門能夠安裝在單個芯片中。通過這樣的方式，就可以讓芯片變得更強(qiáng)大，更節(jié)能。

在部署EUV后，芯片的表面積得到了更有效的利用，為此，業(yè)內(nèi)的人爭先恐后地為自己的生產(chǎn)線完善這項(xiàng)技術(shù)。

三大DRAM大廠開啟EUV制程競賽

當(dāng)下，韓國企業(yè)在存儲芯片市場的分量越來越重，這也推動了該國相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

據(jù)國際研究機(jī)構(gòu)，2021年1－3月，全球智能手機(jī)存儲芯片市場規(guī)模達(dá)到114億美元（約合人民幣738億元），同比大增21％；

市場調(diào)查機(jī)構(gòu)《Strategy Analytics》最新研究報告資料指出，2021年第一季，全球智能手機(jī)DRAM市場總銷金額售額達(dá)114億美元，較2020年同期增長21％。

DRAM存儲器市場的先進(jìn)工藝集中度極高，當(dāng)前僅被極少數(shù)廠商掌握，而作為DRAM領(lǐng)域內(nèi)的三大巨頭廠商：三星、SK海力士和美光，更是掌握了大部分的先進(jìn)技術(shù)和DRAM市場大半的市場份額。

在未來，三星和美光都將啟用EUV光刻設(shè)備生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品，但美光會更晚一些，按計劃要等到2024年。

三星電子在今年1月末發(fā)表業(yè)績時明確表示今年內(nèi)將使用EUV工藝來量產(chǎn)第4代DRAM產(chǎn)品。

面對美光，SK海力士也投資2月落成的M16新芯片廠，預(yù)計達(dá)8000億韓元設(shè)置生產(chǎn)設(shè)備，包括EUV曝光機(jī)，年底前達(dá)每月量產(chǎn)1．8萬片12英寸芯片。

美光也不甘示弱，日前財報會議透露正與ASML展開采購談判，預(yù)計2024年使用EUV曝光設(shè)備生產(chǎn)內(nèi)存。

SK海力士計劃在2025年底前花費(fèi)4．75萬億韓元來確保EUV設(shè)備。

結(jié)尾

隨著生產(chǎn)力和成本競爭力的提高，最新的1anm DRAM不僅有助于確保高利潤率，而且還鞏固了SK 海力士作為領(lǐng)先技術(shù)公司的地位，盡早采用EUV光刻技術(shù)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。